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ME-L 穆勒矩陣橢偏儀

型號:ME-L 品牌:武漢頤光

簡要描述:

穆勒矩陣橢偏儀

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概述

ME-L 是一款科研級全自動高精度穆勒矩陣型橢偏儀,凝聚了頤光科研團隊在橢偏技術多年的投入,其采用行業(yè)最新最前沿的創(chuàng)新技術,包括消色差補償器、雙旋轉(zhuǎn)補償器同步控制、穆勒矩陣數(shù)據(jù)分析等??蓱糜诟鞣N各向同性/異性薄膜材料膜厚、光學納米光柵常數(shù)以及一維/二維納米光柵材料結(jié)構的表征分析。

產(chǎn)品特點

 

采用氘燈和鹵素燈復合光源,光譜覆蓋紫外到近紅外范圍 (193-2500nm);

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可實現(xiàn)穆勒矩陣數(shù)據(jù)處理,測量信息量更大,測量速度快、數(shù)據(jù)更加精準;

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基于雙旋轉(zhuǎn)補償器配置,可一次測量獲得全部穆勒矩陣的16個元素,相對傳統(tǒng)光譜橢偏儀可獲取更加豐富全面的測量信息;
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頤光專利技術確保在寬光譜范圍內(nèi),提供優(yōu)質(zhì)穩(wěn)定的各波段光譜;

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數(shù)百種材料數(shù)據(jù)庫、多種算法模型庫,涵蓋了目前絕大部分的光電材料;

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集成對納米光柵的分析,可同時測量分析納米結(jié)構周期、線寬、線高、側(cè)壁角、粗糙度等幾何形貌信息;

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產(chǎn)品應用

半導體薄膜結(jié)構:介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜,激光二極管GaNAlGaN、透明的電子器件等;

半導體周期性納米結(jié)構:納米光柵,套刻誤差,T型相變存儲器等;

新材料,新物理現(xiàn)象研究:材料光學各向異性,電光效應、彈光效應、聲光效應、磁光效應、旋光效應、Kerr效應、Farady效應等;

平板顯示:TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等;

光伏太陽能:光伏材料(如Si3N4、Sb2Se3、Sb2S3、CdS等)反射率,消光系數(shù)測量,膜層厚度及表面粗糙度測量等;

功能性涂料:增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等;

生物和化學工程:有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理等;

塊狀材料分析:固體(金屬、半導體、介質(zhì)等)或液體(純凈物或混合物)的折射率n和消光系數(shù)k表征,玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。

 

建議配件

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ME-L.png

溫控臺 Mapping擴展模塊 真空泵 透射吸附組件

 

 

 

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