特點:

1.獲得美國專利技術(shù)的MOS多光束技術(shù)（二維激光陣列）

2.采用真空和低壓氣體保護，可進行溫度范圍-100~1200°C（多種溫度范圍可選）的變溫測量

3.樣品快速熱處理和冷處理功能

4.溫度閉環(huán)控制保證極佳的溫度均勻性和精度

5.實時的應力、曲率VS溫度曲線

6.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點線性掃描、全面積掃描

7.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應力成像分析

8.測量功能：曲率、曲率半徑、薄膜應力、薄膜應力分布和翹曲等

9.氣體（氮氣、氬氣和氧氣等）Delivery系統(tǒng)

10.可采用泵入液氮冷卻,較大冷卻速率100°C/min

應用:

TST用于全球科研或者生產(chǎn)企業(yè)中薄膜原位應力監(jiān)測和控制。

TST應用于金屬薄膜，介電薄膜、濾光片膜、平板玻璃、300mm半導體集成電路板、薄膜電池、MBE和MOCVD薄膜制備和退火過程的熱應力監(jiān)控等領域。