行業(yè)背景
LED( Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)是由半導(dǎo)體材料所制成發(fā)光組件，由于其發(fā)光效率高、耗電量少、使用壽命長(zhǎng)、安全可靠性強(qiáng)、環(huán)保。因而廣泛應(yīng)用于：顯示屏、交通訊號(hào)顯示光源、汽車工業(yè)、LCD背光源顯示、LED照明光源等。經(jīng)歷了多年的發(fā)展, 我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)已從購(gòu)買芯片、外延片生產(chǎn)應(yīng)用產(chǎn)品。逐步發(fā)展成從外延片生產(chǎn)、芯片制備到器件封裝、集成應(yīng)用等比較完整的產(chǎn)業(yè)鏈。近十年我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)迅速, 平均每年增長(zhǎng)均在10%以上。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)，2014年我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模為3,507億元，同比增長(zhǎng)36%，預(yù)計(jì)今后持續(xù)為高增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。。
面臨挑戰(zhàn)
LED產(chǎn)業(yè)所帶來龐大市場(chǎng)機(jī)遇的同時(shí)，眾多企業(yè)進(jìn)入該行業(yè)，出現(xiàn)競(jìng)爭(zhēng)無(wú)序、產(chǎn)品質(zhì)量參差不齊、原標(biāo)準(zhǔn)存弊端、同質(zhì)化嚴(yán)重，創(chuàng)新不足。在國(guó)家大范圍鼓勵(lì)“萬(wàn)眾創(chuàng)新”前提下，眾多行業(yè)內(nèi)企業(yè)均調(diào)整企業(yè)戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向產(chǎn)品精細(xì)化、優(yōu)質(zhì)化，來提升企業(yè)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力和附加價(jià)值。第三代半導(dǎo)體材料相比第一代、第二代半導(dǎo)體材料，具有很多重要的優(yōu)點(diǎn)。例如:禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度快、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等。這些優(yōu)良的性能使其在光電器件、大功率高溫電子器件等方面?zhèn)涫芮嗖A，非常符合企業(yè)提升產(chǎn)品品質(zhì)的戰(zhàn)略方向。常見的第三代半導(dǎo)體材料有GaN、SiC、AlN、ZnSe、C2BN、CdS、ZnS、ZnO和金剛石等。其中在LED產(chǎn)業(yè)中比較有代表性的是GaN、SiC、ZnO和金剛石，其禁帶寬度(Eg>2.3eV)。第三代半導(dǎo)體材料可通過調(diào)整不同基元組分，其帶隙可實(shí)現(xiàn)紅外到紫外光譜區(qū)域連續(xù)可調(diào)，匹配全光譜的應(yīng)用。因此，如何來確定其關(guān)鍵參數(shù)禁帶寬度以及對(duì)不同光譜波段的吸收系數(shù)尤為重要。
解決方案
ME-L系列穆勒橢偏儀/SE-L系列光譜橢偏儀根據(jù)測(cè)量到橢偏參數(shù)（Ψ ：振幅比，△：相位差），配合內(nèi)置數(shù)百個(gè)光學(xué)模型進(jìn)行擬合測(cè)得第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度、吸收系數(shù)、厚膜等重要參數(shù)。
1.建立光學(xué)模型
2.建立光學(xué)模型
客戶價(jià)值
通過ME-L/SE-L系列橢偏儀可用于半導(dǎo)體材料的的各向同/異性重要參數(shù)的表征。根據(jù)測(cè)量其關(guān)鍵參數(shù)，確保材料以及產(chǎn)品的品質(zhì)。在新一代的半導(dǎo)體材料的應(yīng)用中給企業(yè)帶來價(jià)值最大化。
關(guān)聯(lián)產(chǎn)品與配置
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| ME-L穆勒矩陣橢偏儀 |
0571-86775300
