熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)
擁有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)，獲得多項(xiàng)技術(shù)專利。
采用動(dòng)態(tài)法測(cè)量Seebeck系數(shù)，避免了傳統(tǒng)靜態(tài)測(cè)量法在溫差測(cè)量方面的系統(tǒng)誤差，測(cè)量更準(zhǔn)確。
熱電偶不直接和樣品接觸，避免出現(xiàn)微型熱電偶斷裂失效的問題 。
爐殼過溫報(bào)警，自動(dòng)斷電保護(hù)。
友好的軟件界面，操作簡(jiǎn)單，實(shí)時(shí)顯示采集數(shù)據(jù)、測(cè)試狀態(tài)和結(jié)果，采用智能化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及處理算法。
熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試實(shí)例
1、康銅樣品三次測(cè)試數(shù)據(jù)與美國AIP標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值對(duì)比
2、Namicro-3L、ZEM-3對(duì)N型Bi2Te3測(cè)試結(jié)果對(duì)比
3、Namicro-3L、ZEM-3對(duì)P型Bi2Te3測(cè)試結(jié)果對(duì)比
4、Namicro-3L、ZEM-3對(duì)MgSi測(cè)試結(jié)果對(duì)比（太原理工提供樣品）
熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
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型號(hào)
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Namicro-3LT
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溫度范圍
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RT~800°C
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溫控方式
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PID程序控制
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最大升溫速率
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50°C/min
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真空度
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≤50Pa
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測(cè)試氣氛
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真空
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測(cè)量范圍
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澤貝克系數(shù)：S ≥ 8µV/K； 電阻率：0.1µΩ•m ~ 106KµΩ•m
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分辨率
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澤貝克系數(shù)：0.05µV/K； 電阻率：0.05µΩ•m
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相對(duì)誤差
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澤貝克系數(shù) ≤±7%，電阻率 ≤±5%
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測(cè)量模式
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自動(dòng)
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樣品尺寸
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塊體，長x寬：(2~5) x (2~5)，單位mm；高度：10 ~ 18mm
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主機(jī)尺寸
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1000 x 400 x 500，單位mm
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重量
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75kg
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熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)樣品要求
塊體：具備平整上下端即可
若樣品表面有腐蝕或氧化等雜質(zhì)層覆蓋，需對(duì)樣品表面拋光，使材料裸露出來，保證接觸良好
熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)原理
動(dòng)態(tài)測(cè)量法
測(cè)試過程中給試樣兩段施加一微小的連續(xù)變化的溫差，測(cè)量樣品兩端熱電勢(shì)變化，溫差?T和熱電勢(shì)之間呈線性關(guān)系，其斜率即為seebeck系數(shù)。
四探針法
即四點(diǎn)接觸法，電流的路徑如右圖所示，但測(cè)量電壓使用的是另外兩個(gè)接觸點(diǎn)。相比二探針法，四探針法測(cè)量電阻率有個(gè)非常大的優(yōu)點(diǎn)——不需要校準(zhǔn)；有時(shí)用其它方法測(cè)量電阻率時(shí)還用四探針法校準(zhǔn)，因而測(cè)量精度更高。
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