薄膜熱導率測試系統(tǒng)產(chǎn)品特點
不直接測量溫度變化,而是通過測量材料在導熱過程中溫度的變化轉(zhuǎn)換為的電信號的變化來實現(xiàn)微/納米薄膜材料的熱導率,微伏級電壓值,保證測量結(jié)果的高精確度。
采用交流電加熱方式,同時選擇并優(yōu)化設計加熱電極的形狀與尺寸,可保證加熱均勻性及測試應用的廣泛性、準確性與穩(wěn)定性。
待測薄膜樣品金屬尺寸極小,能有效減小黑體輻射引起的測量誤差。
友好的軟件界面。
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常溫下不同電流時,SiO2薄膜熱導率測試結(jié)果
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相同溫度下,不同厚度GeTe/Bi2Te3 超晶格熱導率測試結(jié)果
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薄膜熱導率測試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
型號
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TCT-RT
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溫度范圍
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RT
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測試對象
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半導體薄膜、導電薄膜、絕緣薄膜等
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熱導率測量范圍
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0.1-10W/(m·K)(可擴展至2000W/(m·K))
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測試精度
(熱導率)
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±5%(在Si上測量),±10%(其他)
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適合氛圍
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真空
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樣品尺寸
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長 x 寬:(5-10)x(5-10),單位mm,薄膜厚度≥100nm
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其他注意事項
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測量導電薄膜時,需要沉積絕緣層(推薦:Sio2),薄膜表面要非常光滑,確保絕緣層不漏電;
襯底熱導率要遠大于薄膜熱導率,推薦使用Si、AIN等高熱導襯底。
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主機尺寸
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710 x 600 x 490,單位mm
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重量
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80kg
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薄膜熱導率測試系統(tǒng)技術(shù)原理
薄膜熱導率測試系統(tǒng)原理示意圖
本產(chǎn)品技術(shù)方案核心為3ω測試法,其主要原理為在待測薄膜材料表面淀積一層金屬電阻條,往金屬條兩端施加頻率為ω的電流,那么在焦耳熱的作用下該金屬條將產(chǎn)生頻率為2ω的溫升,由于金屬條一般表現(xiàn)出正電阻溫度系數(shù),這將導致其電阻值也產(chǎn)生頻率為2ω的波動,這個頻率為2ω的電阻與頻率為ω的電流耦合將產(chǎn)生一個在頻率為3ω的小電壓信號V3ω。該小信號電壓的幅值與待測材料的熱導率有關(guān),因而檢測該電壓信號后通過相關(guān)計算,就可求出待測材料的熱導率Ks。