EMPro是針對高端研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的極致型多入射角激光橢偏儀。
EMPro可在單入射角度或多入射角度下進行高精度、高準(zhǔn)確性測量??捎糜跍y量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k;也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;亦可用于實時測量快速變化的納米薄膜動態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設(shè)計實現(xiàn)了納米薄膜的絕對厚度測量。
EMPro采用了量拓科技多項專利技術(shù)。
特點:
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原子層量級的極高靈敏度
國際先進的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量級的極薄納米薄膜,膜厚精度達到0.01nm,折射率精度達到0.0001。
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百毫秒量級的快速測量
國際水準(zhǔn)的儀器設(shè)計,在保證極高精度和準(zhǔn)確度的同時,可在幾百毫秒內(nèi)快速完成一次測量,可滿足單原子膜層生長的實時測量。
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簡單方便的儀器操作
用戶只需一個按鈕即可完成復(fù)雜的材料測量和分析過程,數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高級測量設(shè)置。
應(yīng)用:
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EMPro適合于高精度要求的科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。
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EMPro可用于測量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k;可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。
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EMPro可應(yīng)用的納米薄膜領(lǐng)域包括:微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應(yīng)用的塊狀材料領(lǐng)域包括:固體(金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等),或液體(純凈物或混合物)。
技術(shù)指標(biāo):
項目
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技術(shù)指標(biāo)
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儀器型號
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EMPro31
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激光波長
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632.8nm (He-Ne Laser)
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膜厚測量重復(fù)性(1)
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0.01nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
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折射率測量重復(fù)性(1)
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1x10-4 (對于Si基底上100nm的SiO2膜層)
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單次測量時間
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與測量設(shè)置相關(guān),典型0.6s
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結(jié)構(gòu)
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PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準(zhǔn)確度)
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激光光束直徑
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1mm
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入射角度
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40°-90°可手動調(diào)節(jié),步進5°
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樣品方位調(diào)整
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Z軸高度調(diào)節(jié):±6.5mm
二維俯仰調(diào)節(jié):±4°
樣品對準(zhǔn):光學(xué)自準(zhǔn)直和顯微對準(zhǔn)系統(tǒng)
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樣品臺尺寸
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平面樣品直徑可達Φ170mm
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較大的膜層范圍
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透明薄膜可達4000nm
吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關(guān)
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較大外形尺寸
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887 x 332 x 552mm (入射角為90º時)
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儀器重量(凈重)
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25Kg
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選配件
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水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺
真空吸附泵
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軟件
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ETEM軟件:
l 中英文界面可選;
l 多個預(yù)設(shè)項目供快捷操作使用;
l 單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合;
l 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出
l 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持
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注:(1)測量重復(fù)性:是指對標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量25次所計算的標(biāo)準(zhǔn)差。
性能保證:
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高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、先進的采樣方法以及低噪聲探測技術(shù),保證了高穩(wěn)定性和高準(zhǔn)確度
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高精度的光學(xué)自準(zhǔn)直系統(tǒng),保證了快速、高精度的樣品方位對準(zhǔn)
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穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計、可靠的樣品方位對準(zhǔn),結(jié)合先進的采樣技術(shù),保證了快速、穩(wěn)定測量
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分立式的多入射角選擇,可應(yīng)用于復(fù)雜樣品的折射率和絕對厚度的測量
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一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設(shè)計,使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高,并節(jié)省空間
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一鍵式軟件設(shè)計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫,方便用戶使用
準(zhǔn)確度測試:
在入射角40°~85°范圍內(nèi)對Si基底上SiO2薄膜樣品橢偏角Psi和Delta測量值和理論擬合值如下圖所示:
可選配件: